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NIB-2961A晶體管開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試儀
晶體管開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
測(cè)試中小功率半導(dǎo)體三管開(kāi)關(guān)參數(shù)，功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶體管。
Td延遲時(shí)間
tr被測(cè)晶體管上升時(shí)間
ton晶體管開(kāi)啟時(shí)間
ts存貯時(shí)間
tf被測(cè)晶體管下降時(shí)間
toff晶體管下降時(shí)間
晶體管開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試儀主要參數(shù)：
測(cè)量范圍：由5nS至500 nS
測(cè)量條件
Ib1=Ib2=1mA, Ic=10 mA
2) Ib1=Ib2=3mA，Ic=300 mA
3) Ib1=Ib2=10mA，Ic=100 mA
4) Ib1=Ib2=30mA，Ic=300 mA
5) Ib1=Ib2=50mA，Ic=500 mA
脈沖寬度：0.7-2.5uS
±脈沖**：≤2nS
±脈沖幅度：±10V±0.5V
信 號(hào) 源：頻率20K
示 波 器：帶寬: 1000MHz
掃 速：20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm 200nS/cm
CRT顯示輸入/輸出波形 計(jì)算機(jī)顯示測(cè)量參數(shù)及測(cè)量結(jié)果。
