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NXTM-2B單晶P/N型號測試儀
單晶P/N型號測試儀簡介：
儀器運(yùn)用了第四代集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)。儀器采用熱電法測量硅單晶型號，配置了可自動恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。對于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊**以準(zhǔn)確地鑒定出導(dǎo)電型號。
單晶P/N型號測試儀適用范圍：
適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅。
適用于西門子法、硅烷法等生產(chǎn)**多晶硅料的企業(yè)。
適用于物理提*生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)。
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)。
適用于科研部門、高等院校及需要**量程測量電阻率的企業(yè)。
儀器消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響，因此測試精度**提高。
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能。
*特的設(shè)計(jì)能**消除測量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差， ***測量的高精度和寬的量程范圍。
雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測量*，操作*簡便。
具有**的測試數(shù)據(jù)查詢及打印功能。
測量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動換向測量、求平均值、值、值、平均百分變化率等。
四探針頭采用進(jìn)口紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測量重復(fù)性**提高。
采用進(jìn)口元器件，留有*大的系數(shù)，**提高了測試儀的性和使用壽命。
測量電流采用高度穩(wěn)定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響。
具有正測反測的功能，測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
具有抗強(qiáng)磁場和抗高頻設(shè)備的性能。
單晶P/N型號測試儀產(chǎn)品特點(diǎn)：
儀器消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響，因此測試精度**提高
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
*特的設(shè)計(jì)能**消除測量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差， ***測量的高精度和寬的量程范圍
雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測量*，操作*簡便
具有**的測試數(shù)據(jù)查詢及打印功能
測量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動換向測量、求平均值、值、值、平均百分變化率等
四探針頭采用進(jìn)口紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測量重復(fù)性**提高
采用進(jìn)口元器件，留有*大的系數(shù)，**提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度穩(wěn)定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能，測試結(jié)果的準(zhǔn)確性
具有抗強(qiáng)磁場和抗高頻設(shè)備的性能
單晶P/N型號測試儀參數(shù)：
測量范圍
鍺：近本征鍺≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm
顯示方式： 液晶直顯
功 耗：30W
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
使用環(huán)境：溫度：23±2℃ 相對溫度：≤65%