少子壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質的重要檢測項目。τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配數(shù)字示波器;用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形*嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。
設備組成
1.型學校少子壽命測試儀光脈沖發(fā)生裝置:
重復頻率>25次/s
脈    寬>60μｓ
光脈沖關斷時間＜1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）
脈沖電流：5A～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.型學校少子壽命測試儀高頻源:
頻    率：30MHz低輸出阻抗
輸出功率>1W
放大器和檢波器:
頻率響應：2Hz～2MHz
3.型學校少子壽命測試儀配用示波器：
配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調。
型學校少子壽命測試儀測量范圍：
可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒）

原文地址：ZH8202型學校少子壽命測試儀 http://www.ghitest.com/articleshow_36.html，轉載請注明出處